Infineon
Infineon Mosfet IPD031N06L3GATMA1 1, Canale N, Dpak (TO-252), 3 Pin Optimos 3 Singolo Si
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET IPD031N06L3GATMA1 1, canale N, DPAK (TO-252), 3 Pin OptiMOS 3 Singolo Si, Corrente massima continuativa di drain: 100 A, Tensione massima drain source: 60 V, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 5,2 mΩ, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 167 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 59 nC a 4,5 V
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