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Infineon Mosfet BSZ086P03NS3EGATMA1 1, Canale P, Tsdson, 8 Pin Optimos P Singolo Si

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET BSZ086P03NS3EGATMA1 1, canale P, TSDSON, 8 Pin OptiMOS P Singolo Si, Corrente massima continuativa di drain: 40 A, Tensione massima drain source: 30 V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 13,4 mΩ, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.9V, Tensione di soglia gate minima: 3.1V, Dissipazione di potenza massima: 69 W, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Carica gate tipica @ Vgs: 43,2 nC a 10 V

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