Infineon
Infineon Mosfet BSZ110N06NS3GATMA1 1, Canale N, Tsdson, 8 Pin Optimos 3 Singolo Si
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET BSZ110N06NS3GATMA1 1, canale N, TSDSON, 8 Pin OptiMOS 3 Singolo Si, Corrente massima continuativa di drain: 20 A, Tensione massima drain source: 60 V, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Resistenza massima drain source: 11 mΩ, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 50 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 25 nC a 10 V, MPN: BSZ110N06NS3 G
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