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Nexperia Mosfet, Canale N, 2,4 MΩ, 100 A, Lfpak, SOT-669, Montaggio Superficiale

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MarcaNexperia
CondizioneNuovo
Descrizione
Nexperia MOSFET, canale N, 2,4 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 109 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 77,9 nC a 10 V, Larghezza: 4.1mm, MPN: PSMN1R7-30YL

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