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Nexperia Mosfet, Canale N, 3,7 MΩ, 100 A, Lfpak, SOT-669, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaNexperia
CondizioneNuovo
Descrizione
Nexperia MOSFET, canale N, 3,7 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 131 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 63 nC a 10 V, Larghezza: 4.1mm, MPN: PSMN2R6-40YS

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