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Nexperia Mosfet, Canale N, 1,25 MΩ, 100 A, Lfpak, SOT-669, Montaggio Superficiale

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MarcaNexperia
CondizioneNuovo
Descrizione
Nexperia MOSFET, canale N, 1,25 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.95V, Tensione di soglia gate minima: 1.05V, Dissipazione di potenza massima: 272 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Larghezza: 4.1mm, MPN: PSMN0R9-25YLC

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