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Infineon 1 Mosfet Duale, Canale Tipo N, 130 MΩ, 3 A 50 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon 1 MOSFET Duale, canale Tipo N, 130 mΩ, 3 A 50 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin, Massima corrente di scarico continua (Id): 3A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 50V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 130mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 10nC, Temperatura massima di funzionamento: 175°C, MPN: AUIRF7103QTR

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