Infineon
Infineon 2 Mosfet Duale, Canale Tipo N, 20.5 MΩ, 9.1 A 30 V, Soic, Superficie Miglioramento, 8 Pin
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon 2 MOSFET Duale, canale Tipo N, 20.5 mΩ, 9.1 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin, Massima corrente di scarico continua (Id): 9.1A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 30V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 20.5mΩ, Tensione diretta (Vf): 1V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 2W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 14nC, MPN: IRF7907TRPBF
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