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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 60 V, 9.4 MΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, Soic, Superficie

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 60 V, 9.4 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, SOIC, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 12A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 60V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 9.4mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.3V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 2.5W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 26nC, MPN: IRF7855TRPBF

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