Infineon
Infineon 2 Mosfet Duale, Canale Tipo N, 500 MΩ, 5.1 A 55 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon 2 MOSFET Duale, canale Tipo N, 500 mΩ, 5.1 A 55 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin, Massima corrente di scarico continua (Id): 5.1A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 55V, Serie: HEXFET, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 500mΩ, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 29nC, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione diretta (Vf): 1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 3 V, MPN: AUIRF7341QTR
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