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Toshiba Mosfet, Canale N, 80 MΩ, 8 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale-image

Toshiba Mosfet, Canale N, 80 MΩ, 8 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaToshiba
CondizioneNuovo
Descrizione
Toshiba MOSFET, canale N, 80 mΩ, 8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 10 nC a 10 V, Larghezza: 7mm, MPN: TK8S06K3L

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