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Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 8 MΩ, 80 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8 mΩ, 80 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Serie: STripFET H7, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 120 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 61 nC a 10 V, MPN: STD100N10F7

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