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Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 600 MΩ, 7 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 600 mΩ, 7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Numero pin: 3, Resistenza massima drain source: 600 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 70 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.5V, Altezza: 2.17mm, MPN: STD8N65M5

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