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Nexperia Mosfet, Canale N, 13,4 MΩ, 82 A, Lfpak, SOT-669, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaNexperia
CondizioneNuovo
Descrizione
Nexperia MOSFET, canale N, 13,4 mΩ, 82 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 130 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.1mm, MPN: PSMN8R2-80YS

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