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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 600 V, 190 MΩ Miglioramento, 12.5 A, 8 Pin, Hsof, Superficie IGT60R190D1SATMA1-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 600 V, 190 MΩ Miglioramento, 12.5 A, 8 Pin, Hsof, Superficie IGT60R190D1SATMA1

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 600 V, 190 mΩ Miglioramento, 12.5 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IGT60R190D1SATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 12.5A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 600V, Serie: CoolGaN, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 190mΩ, Standard/Approvazioni: No

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