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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 600 V, 80 MΩ Miglioramento, 29 A, 8 Pin, Hsof, Superficie IPT60R080G7XTMA1-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 600 V, 80 MΩ Miglioramento, 29 A, 8 Pin, Hsof, Superficie IPT60R080G7XTMA1

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 600 V, 80 mΩ Miglioramento, 29 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IPT60R080G7XTMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 29A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 600V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 80mΩ, Tensione diretta (Vf): 0.8V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 167W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 42nC

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