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Onsemi Mosfet, Canale N, 3,5 MΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale N, 3,5 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Serie: PowerTrench, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 333 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 89 nC a 10 V, Larghezza: 9.65mm, MPN: FDB035N10A

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