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Onsemi Mosfet, Canale N, 190 MΩ, 20 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Resistenza massima drain source: 190 MO, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 162 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: NVB190N65S3F

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