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Infineon Mosfet, Canale N, 4 Ω, 300 Ma, SOT-363, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 4 Ω, 300 Ma, SOT-363, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 4 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Serie: OptiMOS™, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 0,4 nC a 10 V, MPN: 2N7002DWH6327

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