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Infineon Transistor Mosfet, Canale P, 300 MΩ, 1,9 A, SOT-223, Montaggio Superficiale-image

Infineon Transistor Mosfet, Canale P, 300 MΩ, 1,9 A, SOT-223, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon Transistor MOSFET, canale P, 300 mΩ, 1,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Serie: SIPMOS®, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1,8 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 13 nC a 10 V, Larghezza: 3.5mm, MPN: BSP171P

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