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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 120 V, 1.7 MΩ Miglioramento, 314 A, 8 Pin, PG-HSOF-8-1, Superficie IAUTN12S5N017ATMA1-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 120 V, 1.7 MΩ Miglioramento, 314 A, 8 Pin, PG-HSOF-8-1, Superficie IAUTN12S5N017ATMA1

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 120 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 314 A, 8 Pin, PG-HSOF-8-1, Superficie IAUTN12S5N017ATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 314A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 120V, Serie: OptiMOS, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 1.7mΩ, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 358W, Minima temperatura operativa: -55°C, Temperatura massima di funzionamento: 175°C, Standard/Approvazioni: RoHS Compliant

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