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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 650 V, 30 MΩ Miglioramento, 196 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IMT65R022M1HXUMA1-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 650 V, 30 MΩ Miglioramento, 196 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IMT65R022M1HXUMA1

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 650 V, 30 mΩ Miglioramento, 196 A, 8 Pin, PG-HSOF-8, Superficie IMT65R022M1HXUMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 196A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 650V, Serie: CoolSiC MOSFET 650 V G1, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 30mΩ, Dissipazione di potenza massima (Pd): 375W, Minima temperatura operativa: -55°C, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 23 V, Temperatura massima di funzionamento: 175°C, Standard/Approvazioni: RoHS Compliant

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