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Ixys Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 9 MΩ Miglioramento, 170 A, 3 Pin, TO-247, Foro Passante

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MarcaIXYS
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Descrizione
IXYS MOSFET, canale Tipo N 100 V, 9 mΩ Miglioramento, 170 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante, Massima corrente di scarico continua (Id): 170A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: HiperFET, Polar, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 9mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.5V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 714W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 198nC, MPN: IXFH170N10P

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