onsemi
Onsemi Mosfet, Canale Tipo P 30 V, 19 MΩ Miglioramento, 11.4 A, 8 Pin, Soic, Superficie NTMS4177PR2G
Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale Tipo P 30 V, 19 mΩ Miglioramento, 11.4 A, 8 Pin, SOIC, Superficie NTMS4177PR2G, Massima corrente di scarico continua (Id): 11.4A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 30V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 19mΩ, Tensione diretta (Vf): -1V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 2.5W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 29nC
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