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Rohm Mosfet, Canale Tipo N 20 V, 110 MΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, Tsmt, Superficie RUR040N02TL-image

Rohm Mosfet, Canale Tipo N 20 V, 110 MΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, Tsmt, Superficie RUR040N02TL

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MarcaROHM
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Descrizione
ROHM MOSFET, canale Tipo N 20 V, 110 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TSMT, Superficie RUR040N02TL, Massima corrente di scarico continua (Id): 4A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 20V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 110mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): ±10 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 1W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 8nC

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