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Vishay Mosfet, Canale N, 850 MΩ, 8 A, TO-220AB, Su Foro

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale N, 850 mΩ, 8 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Carica gate tipica @ Vgs: 39 nC a 10 V, Larghezza: 4.7mm, Lunghezza: 10.41mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRF840LCPBF

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