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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 80 V, 4.6 MΩ Miglioramento, 99 A, 8 Pin, PG-WHSON-8, Superficie IQE046N08LM5SCATMA1-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 80 V, 4.6 MΩ Miglioramento, 99 A, 8 Pin, PG-WHSON-8, Superficie IQE046N08LM5SCATMA1

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 80 V, 4.6 mΩ Miglioramento, 99 A, 8 Pin, PG-WHSON-8, Superficie IQE046N08LM5SCATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 99A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 80V, Serie: OptiMOS, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 4.6mΩ, Tensione diretta (Vf): 1V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 100W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 19nC

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