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Infineon Mosfet, Canale N, 1 Ω, 6,8 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 1 Ω, 6,8 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 1 Ω, 6,8 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Serie: CoolMOS™ CE, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 61 W, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Carica gate tipica @ Vgs: 13 nC a 10 V, Larghezza: 6.22mm, MPN: IPD60R1K0CEAUMA1

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