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Infineon Mosfet, Canale N, 9 MΩ, 80 A, Ipak (TO-251), Su Foro-image

Infineon Mosfet, Canale N, 9 MΩ, 80 A, Ipak (TO-251), Su Foro

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 9 mΩ, 80 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 75 V, Serie: HEXFET, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 140 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 56 nC a 10 V, MPN: IRFU3607PBF

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