Infineon
Infineon Mosfet, Canale Tipo P 100 V, 178 MΩ Miglioramento, 13.9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD18DP10LMATMA1
Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo P 100 V, 178 mΩ Miglioramento, 13.9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD18DP10LMATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 13.9A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 178mΩ, Tensione diretta (Vf): -1.2V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 83W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: -42nC
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