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Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 3,3 Ω, 2,3 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 3,3 Ω, 2,3 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 500 V, Serie: MDmesh, SuperMESH, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Carica gate tipica @ Vgs: 11 nC a 10 V, MPN: STD3NK50ZT4

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