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Onsemi 2 Mosfet Tipo Isolato, Canale Tipo P, 115 MΩ, 2.3 A 20 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin FDC6312P-image

Onsemi 2 Mosfet Tipo Isolato, Canale Tipo P, 115 MΩ, 2.3 A 20 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin FDC6312P

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Marcaonsemi
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Descrizione
onsemi 2 MOSFET Tipo isolato, canale Tipo P, 115 mΩ, 2.3 A 20 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 6 Pin FDC6312P, Massima corrente di scarico continua (Id): 2.3A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 20V, Serie: PowerTrench, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 115mΩ, Tensione diretta (Vf): -0.7V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 8 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 960mW, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 4.4nC

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