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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 3.7 MΩ Miglioramento, 300 A, 8 Pin, Hsof, Superficie IPT020N10N3ATMA1-image

Infineon Mosfet, Canale Tipo N 100 V, 3.7 MΩ Miglioramento, 300 A, 8 Pin, Hsof, Superficie IPT020N10N3ATMA1

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MarcaInfineon
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Infineon MOSFET, canale Tipo N 100 V, 3.7 mΩ Miglioramento, 300 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IPT020N10N3ATMA1, Massima corrente di scarico continua (Id): 300A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 100V, Serie: OptiMOS 3, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 3.7mΩ, Tensione diretta (Vf): 1V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 375W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 156nC

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