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Onsemi Mosfet, Canale P, 4,9 Ω, 1,33 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale P, 4,9 Ω, 1,33 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 500 V, Serie: QFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 50 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Carica gate tipica @ Vgs: 18 nC a 10 V, Larghezza: 6.22mm, MPN: FQD3P50TM

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