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Onsemi Mosfet, Canale N, 180 MΩ, 10 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale-image

Onsemi Mosfet, Canale N, 180 MΩ, 10 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Serie: QFET, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Carica gate tipica @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Larghezza: 6.1mm, MPN: FQD13N10TM

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