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Onsemi Mosfet, Canale N, 190 MΩ, 20 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale-image

Onsemi Mosfet, Canale N, 190 MΩ, 20 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale

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Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale N, 190 mΩ, 20 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Serie: SuperFET, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 208 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Carica gate tipica @ Vgs: 75 nC a 10 V, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FCB20N60TM

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