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Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 8,5 Ω, 1 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8,5 Ω, 1 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Serie: MDmesh, SuperMESH, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Tensione di soglia gate minima: 2.25V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Carica gate tipica @ Vgs: 7 nC a 10 V, MPN: STD1NK60T4

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