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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 500 V, 650 MΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 500 V, 650 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 9A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 500V, Serie: CoolMOS CE, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 650mΩ, Tensione diretta (Vf): 0.84V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 47W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 15nC, MPN: IPD50R650CEAUMA1

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