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Ixys Igbt, Vce 1200 V, Ic 200 A, Canale N, TO-247-image

Ixys Igbt, Vce 1200 V, Ic 200 A, Canale N, TO-247

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MarcaIXYS
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IXYS IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 50kHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 16.26mm, Larghezza: 5.3mm, Altezza: 21.46mm, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.46mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IXYH82N120C3

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