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Onsemi Diodo MBRB8H100T4G, Superficie, 8 A, 100 V, TO-263, Diodo Schottky, 3 Pin-image

Onsemi Diodo MBRB8H100T4G, Superficie, 8 A, 100 V, TO-263, Diodo Schottky, 3 Pin

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Marcaonsemi
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Descrizione
onsemi Diodo MBRB8H100T4G, Superficie, 8 A, 100 V, TO-263, Diodo Schottky, 3 Pin, Corrente massima continua in avanti (If): 8A, Picco di tensione ripetitiva inversa (Vrrm): 100V, Configurazione diodi: Singolo, Corrente inversa di picco (Ir): 4.5μA, Minima temperatura operativa: -65°C, Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva (Ifsm): 250A, Tensione massima indiretta (Vf): 0.71V, Temperatura massima di funzionamento: 175°C, Altezza: 4.83mm, Larghezza: 9.65 mm

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