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Vishay Mosfet, Canale P, 112 MΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Vishay Mosfet, Canale P, 112 MΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale P, 112 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 860 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Carica gate tipica @ Vgs: 3,3 nC a 2,5 V, 5,5 nC a 4,5 V, Larghezza: 1.4mm, Lunghezza: 3.04mm, MPN: SI2301CDS-T1-GE3

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