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Vishay Mosfet, Canale N, 4,2 MΩ, 100 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale-image

Vishay Mosfet, Canale N, 4,2 MΩ, 100 A, Dpak (TO-252), Montaggio Superficiale

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MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale N, 4,2 mΩ, 100 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 107 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 108 nC a 10 V, Larghezza: 9.65mm, MPN: SQD40020EL_GE3

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