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Infineon Mosfet, Canale N, 3,2 MΩ, 120 A, TO-220, Su Foro-image

Infineon Mosfet, Canale N, 3,2 MΩ, 120 A, TO-220, Su Foro

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MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 3,2 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Serie: OptiMOS™ 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 188 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 124 nC a 10 V, MPN: IPP032N06N3 G

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