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Ixys Mosfet, Canale Tipo N 600 V, 270 MΩ Miglioramento, 26 A, 3 Pin, TO-247, Foro Passante

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MarcaIXYS
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Descrizione
IXYS MOSFET, canale Tipo N 600 V, 270 mΩ Miglioramento, 26 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante, Massima corrente di scarico continua (Id): 26A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 600V, Serie: HiperFET, Polar, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 270mΩ, Tensione diretta (Vf): 1.5V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 30 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 460W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 72nC, MPN: IXFH26N60P

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