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Onsemi Mosfet, Canale N, 190 MΩ, 23 A, TO-3PN, Su Foro

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Specifiche
Marcaonsemi
CondizioneNuovo
Descrizione
onsemi MOSFET, canale N, 190 mΩ, 23 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 400 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 235 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Tensione diretta del diodo: 1.5V, Altezza: 20.1mm, MPN: FDA24N40F

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