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Vishay Mosfet, Canale P, 52 MΩ, 6,2 A, Soic, Montaggio Superficiale-image

Vishay Mosfet, Canale P, 52 MΩ, 6,2 A, Soic, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaVishay
CondizioneNuovo
Descrizione
Vishay MOSFET, canale P, 52 mΩ, 6,2 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.55mm, MPN: SQ4431EY-T1_GE3

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