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Infineon Mosfet, Canale N, 280 MΩ, 1,4 A, SOT-23, Montaggio Superficiale-image

Infineon Mosfet, Canale N, 280 MΩ, 1,4 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 280 mΩ, 1,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Serie: OptiMOS™ 2, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Carica gate tipica @ Vgs: 0,6 nC a 5 V, MPN: BSS316NH6327XT

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