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Infineon Mosfet, Canale N, 14,9 A, PG-TO263-7, Montaggio Superficiale

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Specifiche
MarcaInfineon
CondizioneNuovo
Descrizione
Infineon MOSFET, canale N, 14,9 A, PG-TO263-7, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 1200 V, Serie: IMB, Modalità del canale: Enhancement, Materiale del transistor: SiC, MPN: IMBG120R181M2HXTMA1

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