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Infineon Mosfet, Canale Tipo N 250 V, 60 MΩ Miglioramento, 25 A, 5 Pin, TO-252, Superficie

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MarcaInfineon
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Descrizione
Infineon MOSFET, canale Tipo N 250 V, 60 mΩ Miglioramento, 25 A, 5 Pin, TO-252, Superficie, Massima corrente di scarico continua (Id): 25A, Tensione massima della sorgente di scarico (Vds): 250V, Serie: IPD600N25N3 G, Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds): 60mΩ, Tensione diretta (Vf): 0.9V, Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs): 20 V, Dissipazione di potenza massima (Pd): 136W, Minima temperatura operativa: -55°C, Carica tipica del gate (Qg) @ Vgs: 22nC, MPN: IPD600N25N3GATMA1

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