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Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 8,5 Ω, 400 Ma, SOT-223, Montaggio Superficiale-image

Stmicroelectronics Mosfet, Canale N, 8,5 Ω, 400 Ma, SOT-223, Montaggio Superficiale

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MarcaSTMicroelectronics
CondizioneNuovo
Descrizione
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 8,5 Ω, 400 mA, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Serie: MDmesh, SuperMESH, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Tensione di soglia gate minima: 2.25V, Dissipazione di potenza massima: 3,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Carica gate tipica @ Vgs: 7 nC a 10 V, MPN: STN1HNK60

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